特許
J-GLOBAL ID：201203029352031886
フォトマスクブランク及びその加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-211043
公開番号（公開出願番号）：特開2012-068314
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【解決手段】透明基板上に、他の膜を介し又は介さずに、遷移金属とケイ素を含有する材料からなる膜が形成され、該膜上にドライエッチング用のハードマスク膜が設けられ、該ハードマスク膜が、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物と、有機溶剤とを含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した酸化ケイ素系材料膜であるフォトマスクブランク。【効果】常用のレジスト膜を用いたパターニングにおいて、クロム系材料膜より有利なエッチング選択比で加工することができる。また、この酸化ケイ素系材料によるハードマスク膜パターンを透明基板上のモリブデン等の遷移金属とケイ素とを含有する膜に転写する際、酸素含有比を制御した塩素ガスを用いてドライエッチングすることにより、有効な選択比が得られ、透明基板上に成膜した遮光膜等の光学膜に対するレジストパターンの高精度な転写が可能となる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明基板上に、他の膜を介し又は介さずに、遷移金属とケイ素を含有する材料からなる膜が形成され、該膜上にドライエッチング用のハードマスク膜が設けられたフォトマスクブランクであって、
上記ハードマスク膜が、下記一般式(1)
RnSiX4-n (1)
(式中、Rは水素原子、メチル基、又は酸素原子若しくは酸素含有官能基が含まれてもよい炭素数2〜12の脂肪族炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であり、Xは炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、又は炭素数2〜5のアルキルカルボニルオキシ基である。また、nは0又は1である。)
で示されるシラン化合物を少なくとも1種以上含む原料を用いて得られる加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物と、有機溶剤とを含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した酸化ケイ素系材料膜であることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
2H095BB16
, 2H095BC05
, 2H095BC24
