特許
J-GLOBAL ID:200903060122557128
ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-070100
公開番号(公開出願番号):特開2007-302873
出願日: 2007年03月19日
公開日(公表日): 2007年11月22日
要約:
【課題】フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物を提供する。【解決手段】(A)無機酸及びスルホン酸誘導体から選ばれる化合物を酸触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物の反応混合物から上記酸触媒を実質的に除去する工程を経て得ることのできるケイ素含有化合物、(B)式(1)又は(2)の化合物、 LaHbX (1)(式中、LはLi,Na,K,Rb又はCs、XはOH、又は有機酸基であり、aは1以上、bは0又は1以上で、a+bは水酸基又は有機酸基の価数である。) MA (2)(式中、Mはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウム、Aは非求核性対向イオン。)(C)炭素数が1〜30の有機酸、(D)有機溶剤、を含む熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)無機酸及びスルホン酸誘導体から選ばれる1種類以上の化合物を酸触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物の反応混合物から上記酸触媒を実質的に除去する工程を経て得ることのできるケイ素含有化合物、
(B)下記一般式(1)又は(2)で表される化合物、
LaHbX (1)
(式中、Lはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウム、Xは水酸基、又は炭素数1〜30の1価又は2価以上の有機酸基であり、aは1以上の整数、bは0又は1以上の整数で、a+bは水酸基又は有機酸基の価数である。)
MA (2)
(式中、Mはスルホニウム、ヨードニウム又はアンモニウムであり、Aは非求核性対向イオンである。)
(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸、
(D)有機溶剤、
を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。
IPC (4件):
C09D 183/00
, H01L 21/027
, G03F 7/11
, G03F 7/26
FI (4件):
C09D183/00
, H01L21/30 573
, G03F7/11 503
, G03F7/26 511
Fターム (30件):
2H025AA11
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA14
, 2H025DA27
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096KA07
, 2H096KA08
, 2H096KA15
, 2H096KA18
, 2H096KA19
, 4J038DL031
, 4J038GA15
, 4J038JB01
, 4J038JC10
, 4J038JC17
, 4J038JC38
, 4J038KA06
, 4J038PB03
, 5F046NA07
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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