半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040092
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178429
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、半導体基板SUBの主表面上に配置された第1導電型の不純物層DPWと、不純物層DPW上に、第1導電型の不純物領域と第2導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタM1〜M4とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙AGが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層SIが配置されている。上記分離絶縁層SIは、第1導電型の不純物層DPWの最上面に接する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記主表面上に配置された第1導電型の不純物層と、前記第1導電型の不純物層上に、第1導電型の不純物領域と第2導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、前記光電変換素子を含む単位画素を構成し、前記光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタとを備えており、平面視において前記光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙が含まれ、前記光電変換素子と前記光電変換素子に隣接する前記光電変換素子とを互いに電気的に絶縁する分離絶縁層が配置されており、前記分離絶縁層は、前記第1導電型の不純物層の最上面に接する、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/374 , H01L 21/76 , H04N 5/359

FI (6件)：

H01L27/14 A , H01L31/10 A , H04N5/335 740 , H01L21/76 M , H01L21/76 L , H04N5/335 590

Fターム (51件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DD04 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 4M118GA02 , 4M118GC08 , 4M118GD14 , 5C024CX11 , 5C024GX02 , 5C024GX16 , 5C024GY31 , 5C024GY39 , 5C024GY41 , 5F032AA13 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA67 , 5F032AA77 , 5F032AB03 , 5F032AC02 , 5F032BA03 , 5F032BA08 , 5F032BB01 , 5F032CA03 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032CA21 , 5F032DA02 , 5F032DA22 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F032DA63 , 5F049MA01 , 5F049NA17 , 5F049NB05 , 5F049RA02 , 5F049SS03 , 5F049SZ06 , 5F049SZ13 , 5F049TA13 , 5F049UA13 , 5F049UA20 , 5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

固体撮像装置用素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-048483 出願人：松下電器産業株式会社
固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-357838 出願人：松下電器産業株式会社
CMOSイメージセンサ、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-165828 出願人：株式会社東芝

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