特許
J-GLOBAL ID：200903047336490822
固体撮像素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-177886
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010544
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】製造スループットが悪化することなく、入射光の半導体基板表面での反射による迷光を抑制できる固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板1の表層部に形成されたフォトダイオード2の中央部を囲うように、コンタクト層間膜7にエアギャップAG1を形成する。コンタクト層間膜7にエアギャップAG1が形成されているので、入射光L1の半導体基板表面での反射による迷光L2が隣接画素に入射することを抑制できる。また、コンタクト層間膜7のみにエアギャップAG1を形成しているので、エアギャップAG1を形成するための異方性ドライエッチングを長時間行う必要がなく、製造スループットが悪化することもない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
前記半導体基板上に前記フォトダイオードを覆うように形成された第1の層間膜と、
前記第1の層間膜より上方に形成された第2の層間膜内に形成された多層の配線と、
最下層の前記配線と前記半導体基板間の前記第1の層間膜に、前記フォトダイオードの中央部を平面視で囲うように形成された中空部と、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA20
, 4M118CA34
, 4M118CA35
, 4M118CB14
, 4M118DA18
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA27
, 4M118FA33
, 4M118GA08
, 4M118GA09
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD11
出願人引用 (3件)
審査官引用 (10件)
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