特許

J-GLOBAL ID：201203030496104622

ドリフト領域とドリフト制御領域とを有する半導体素子

発明者： フィルシュ,フランク ,  マウダー,アントン ,  シュルツ,ハンス-ヨアヒム ,  ゼードルマイアー,シュテファン ,  ヴィルメロス,アルミン ,  ツンデル,マルクス ,  ヒルラー,フランツ ,  ミッタル,アルンヤイ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085845
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186479
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路/ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基材100と、上記半導体基材100内の、半導体材料からなるドリフト領域2と、ドリフト領域2に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極19を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域3と、ドリフト領域2とドリフト制御領域3との間に配置された蓄積誘電体4と、第1素子領域8と、第1素子領域8との間にドリフト領域2が配置され、第1素子領域8から離れて配置された第2素子領域5と、ドリフト制御領域3の接続電極19および第1素子領域8の間に接続された容量性素子50とを含む。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

半導体基材(100)を有する半導体素子であって、 上記半導体基材(100)内の、半導体材料からなるドリフト領域(2;211)と、 上記半導体基材(100)内の、上記ドリフト領域(2)に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極(19;233)を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域(3;241)と、 上記ドリフト領域(2;211)と上記ドリフト制御領域(3;241)との間に配置された蓄積誘電体(4;251)と、 第1素子領域(8;212)と、 上記第1素子領域(8;212)との間に上記ドリフト領域(2;211)が配置され、上記第1素子領域(8;212)から離れて配置された第2素子領域(5;214)と、 上記ドリフト制御領域(3;241)の上記接続電極(19;233)および上記第1素子領域(8;212)の間に接続された容量性素子(50;263)とを含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (12件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088

FI (19件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 301W ,  H01L29/91 E ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/48 F ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 657Z ,  H01L29/78 652P ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E

Fターム (54件)：

4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB39 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF10 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BF03 ,  5F048BG13 ,  5F110AA07 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD22 ,  5F110EE22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140BF43 ,  5F140BH02 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH45 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-544817   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256774   出願人：株式会社東芝
• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-216135   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-544817   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256774   出願人：株式会社東芝
• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-216135   出願人：三菱電機株式会社