特許
J-GLOBAL ID：201203031170417643
積層パッケージ構造物、パッケージオンパッケージ素子、およびパッケージオンパッケージ素子製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-263869
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119688
出願日： 2011年12月01日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】積層パッケージから発生する電磁気波を効率的に遮断することによって電磁妨害による影響を最小化できる積層パッケージ構造物を提供する。【解決手段】下部半導体パッケージ105L、下部半導体パッケージ105Lの上部に下部半導体パッケージ105Lと所定間隔離隔して配置される上部半導体パッケージ105U、下部半導体パッケージ105Lと上部半導体パッケージ105Uとの間の隔離空間を支持し、下部半導体パッケージ105Lと上部半導体パッケージ105Uを電気的に接続するパッケージ間接続部150、パッケージ間接続部150の外周に配置され、下部半導体パッケージ105Lと上部半導体パッケージ105Uとの間の隔離空間を充填する絶縁層160を含む積層パッケージ、および積層パッケージの側面と上面を囲む電磁波シールド膜170を含む積層パッケージ構造物100a。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
下部半導体パッケージ、前記下部半導体パッケージの上部に前記下部半導体パッケージと所定間隔離隔して配置される上部半導体パッケージ、前記下部半導体パッケージと前記上部半導体パッケージとの間の隔離空間を支持し、前記下部半導体パッケージと前記上部半導体パッケージを電気的に接続するパッケージ間接続部、および少なくとも前記パッケージ間接続部の外周に配置され、前記下部半導体パッケージと前記上部半導体パッケージとの間の隔離空間を充填する絶縁層を含む積層パッケージと、
前記積層パッケージの側面と上面を囲む電磁波シールド膜と、を含む、積層パッケージ構造物。
IPC (3件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
