特許
J-GLOBAL ID:200903089435639239
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-112169
公開番号(公開出願番号):特開2001-298115
出願日: 2000年04月13日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】 製造工程での取り扱いに優れる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、配線パターン22を少なくとも一方の面に有する基板20に、半導体チップ10における電極形成面を対向させて搭載し、前記電極12と前記配線パターン22とを電気的に接続して固定する工程と、前記工程後に、前記半導体チップ10における前記基板20とは反対側の面を研削する工程と、を含む。
請求項(抜粋):
配線パターンを少なくとも一方の面に有する基板に、半導体チップにおける電極形成面を対向させて搭載し、前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続して固定する工程と、前記工程後に、前記半導体チップにおける前記基板とは反対側の面を研削する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 23/12
, H01L 21/56
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
FI (3件):
H01L 21/56 R
, H01L 23/12 L
, H01L 25/14 Z
Fターム (3件):
5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CB13
引用特許:
前のページに戻る