特許
J-GLOBAL ID：200903063153082364
半導体装置のアンダーフィルの充填方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179461
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016714
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】 半導体チップのファインピッチ化に対応し、アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を極力削減し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップの一面に2次元的に配列された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップと、半導体チップの一面と基板との間に液状化されたアンダーフィル用樹脂を注入するステップと、一定の圧力下においてアンダーフィル用樹脂をガラス転移温度以上の温度で溶融しキュアするステップとを有する。これにより、アンダーフィル用樹脂内のボイドを消滅させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップの一面に2次元的に配列された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップと、
半導体チップの一面と基板との間に液状化されたアンダーフィル用樹脂を注入するステップと、
一定の圧力下において前記アンダーフィル用樹脂を溶融し前記アンダーフィル用樹脂をキュアするステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/56 E
, H01L21/60 311Q
5F044LL01
, 5F044QQ01
, 5F044RR17
, 5F044RR19
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA05
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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