光半導体装置及びその駆動方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-165167
公開番号（公開出願番号）：特開2012-027199
出願日： 2010年07月22日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】高周波特性の良好な光半導体装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】真性の半導体層14の一部である第1光導波路18aと、第1光導波路の第1の側に形成された第2光導波路18bと、第1光導波路の第2の側に形成された第1導電型の第1不純物領域19,20と、第1光導波路の第1の側に形成された第2導電型の第2不純物領域21と、第2光導波路の第2の側に形成された第1導電型の第3不純物領域22と、第2光導波路の第1の側に形成された第2導電型の第4不純物領域23,24と、第2不純物領域の一部である第1下部電極と第1上部電極30aとを有する第1キャパシタ32aと、第1上部電極の下方に形成された第2導電型の第5不純物領域25と、第4不純物領域の一部である第2下部電極と第2の上部電極30bとを有する第2キャパシタ32bと、第2上部電極の下方に形成された第1導電型の第6不純物領域26とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された真性半導体の半導体層と、前記半導体層の一部である第1の光導波路と、前記半導体層の他の一部であり、前記第1の光導波路の第1の側に、前記第1の光導波路と並行するように形成された第2の光導波路と、前記第1の光導波路の前記第1の側の反対の第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第1の不純物領域と、前記第1の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第1導電型と反対の第2導電型の不純物が導入された第2の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第2の側における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入され、前記第2の不純物領域に接続された第3の不純物領域と、前記第2の光導波路の前記第1の側における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第4の不純物領域と、前記第2の不純物領域の一部である第1の下部電極と、少なくとも前記第1の下部電極上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第1の上部電極とを有する第1のキャパシタと、前記第1の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第2導電型の不純物が導入された第5の不純物領域と、前記第4の不純物領域の一部である第2の下部電極と、少なくとも前記第2の下部電極上に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された第2の上部電極とを有する第2のキャパシタと、前記第2の上部電極の下方領域の一部における前記半導体層に形成され、第1導電型の不純物が導入された第6の不純物領域とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (1件)：

G02F 1/025

FI (1件)：

G02F1/025

Fターム (10件)：

2H079AA05 , 2H079AA12 , 2H079BA03 , 2H079DA16 , 2H079EA03 , 2H079EA05 , 2H079EB05 , 2H079HA15 , 2H079JA02 , 2H079JA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

光学導波路内の高伝導埋込層
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-542085 出願人：イギリス国
シリコン上に集積された高周波オプトエレクトロニク変調器
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-505588 出願人：ユニベルシテパリ-シュド, サントルナシオナルドゥラルシェルシェサイアンティフィク(セエヌエールエス)

引用文献：

出願人引用 (4件)

Optics Express, 2008, Vol.16, No.5, p.11027-11031
Optcis Express, 2007, Vol.15 No.25, p.17106-17113
Conference on Laser and Electro-optics, 2007, CtuQ6

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