特許
J-GLOBAL ID：201203032148967210

中空シリカ粒子

発明者：
矢野 聡宏

矢野 聡宏 について

, 
小松 正樹

小松 正樹 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (2件)： 大谷 保 ,  片岡 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-288441
公開番号（公開出願番号）：特開2012-136363
出願日： 2010年12月24日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：
【課題】極めて微細な中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】〔1〕レーザ回折/散乱法によって測定される体積平均粒子径が0.05〜0.45μmで、最大粒子径が体積平均粒子径の5倍以内であり、空孔率が20〜70体積%、BET比表面積が30m2/g未満、98質量%以上がSiO2である中空シリカ粒子、及び〔2〕疎水性有機化合物(a)と、第四級アンモニウム塩(b)、及び加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源(c)を含有する水溶液を調製する工程(I)、得られた水溶液を10〜100°Cの温度で撹拌して、シリカから構成される外殻を有し、かつ核に疎水性有機化合物(a)を有するコアシェル型シリカ粒子の水分散液を調製する工程(II)、得られたコアシェル型シリカ粒子を分離し、950°C以上の温度で焼成して、中空シリカ粒子を得る工程(III)を有する中空シリカ粒子の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
レーザ回折/散乱法によって測定される体積平均粒子径が0.05〜0.45μmで、最大粒子径が体積平均粒子径の5倍以内であり、空孔率が20〜70体積%、BET比表面積が30m2/g未満、98質量%以上がSiO2である中空シリカ粒子。
IPC (2件)：
C01B 33/18 ,  H01B 3/12
FI (2件)：
C01B33/18 Z ,  H01B3/12 336
Fターム (28件)：
4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB09 ,  4G072BB16 ,  4G072DD07 ,  4G072DD08 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ42 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL11 ,  4G072MM22 ,  4G072MM23 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ07 ,  4G072RR05 ,  4G072TT01 ,  4G072TT06 ,  4G072UU30 ,  5G303AA05 ,  5G303AA06 ,  5G303AA07 ,  5G303AB06 ,  5G303BA04 ,  5G303CA08 ,  5G303CB30
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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