特許

J-GLOBAL ID：201203032759295633

ナノ構造デバイスおよびナノ構造デバイスの作製方法

発明者： 菅 洋志 ,  内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  清水 哲夫 ,  古田 成生 ,  角谷 透 ,  増田 雄一郎 ,  高橋 剛 ,  小野 雅敏
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  株式会社船井電機新応用技術研究所 ,  船井電機株式会社
代理人 (4件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男 ,  赤澤 高 ,  稲葉 龍治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050552
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190840
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】単結晶面が対向し、形状が原子レベルで整ったナノギャップ構造を有する電極、および、この電極を有するナノ構造デバイス及びその作製方法を提供すること。【解決手段】結晶成長を促進させる雰囲気ガス中で、金属細線に所定の電圧印加および電流を流してこの金属細線に結晶成長をさせつつ、ナノギャップを形成する。結晶成長により、金属細線は局所的に高い結晶性を有する領域を備え、この領域にナノギャップが形成される。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた金属細線とを備え、 前記金属細線は、局所的に高い結晶性を有する領域を備え、前記領域にナノギャップが形成されているナノ構造デバイス。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00

FI (3件)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-189380   出願人：株式会社船井電機新応用技術研究所
• シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-158101   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所