特許
J-GLOBAL ID：201203033201969278

微細パターンの形成方法

発明者：
西村 栄一

西村 栄一 について

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山内 祥平

山内 祥平 について

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中島 滋

中島 滋 について

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矢部 和雄

矢部 和雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-194618
公開番号（公開出願番号）：特開2012-054343
出願日： 2010年08月31日
公開日（公表日）： 2012年03月15日
要約：
【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第1のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、 前記有機膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜をパターニングするパターニングステップと、 前記パターニングされたレジスト膜から露出する前記有機膜と、前記パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する第1の堆積ステップと、 前記酸化シリコンが堆積された前記基板を加熱して前記酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる処理ステップと、 前記パターニングされたレジスト膜の側壁に前記酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第1のエッチングステップと、 前記パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップと を含む、微細パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/321
FI (5件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/88 D
Fターム (50件)：
5F004AA04 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004CA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA12 ,  5F004EA22 ,  5F004EA27 ,  5F004EA28 ,  5F004FA08 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ72 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX19 ,  5F046AA28 ,  5F058BA04 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF21 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ07 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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