特許
J-GLOBAL ID：201203033395118770

半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

発明者：
太田 陽介

太田 陽介 について

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▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

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赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

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高澤 裕真

高澤 裕真 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-092570
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033874
出願日： 2011年04月19日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】 本発明の目的は、高温領域において、膜中の水素濃度が極めて低く、膜厚均一性が良好な絶縁膜を形成することにある。 【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給して処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して供給し、その際、そのノズルを介して原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを供給することで、基板の表面と平行方向に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給し排気することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、 加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に窒素含有ガスを供給し排気することで、前記所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、 その間に前記処理容器内に不活性ガスを供給し排気して前記処理容器内をパージする工程を挟んで交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の窒化膜を形成する工程を有し、 前記所定元素含有層を形成する工程では、前記原料ガスを前記基板の側方に設けられたノズルを介して前記基板に向けて供給し、その際、そのノズルを介して前記原料ガスと一緒に不活性ガスまたは水素含有ガスを前記基板に向けて供給することで、前記基板の表面と平行方向に流れる前記原料ガスの流速を、前記処理容器内をパージする工程において前記基板の表面と平行方向に流れる不活性ガスの流速よりも大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  C23C16/455
Fターム (39件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA12 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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