特許
J-GLOBAL ID：201203033636848065

半導体装置の製造方法

発明者：
姉崎 徹

姉崎 徹 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-221947
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084882
出願日： 2011年10月06日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】フラッシュメモリセルと低電圧動作トランジスタや高電圧動作トランジスタを集積化し、異種トランジスタを混載する半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(a)トンネル絶縁膜、Fゲート電極膜、電極間絶縁膜を堆積したFゲート電極構造を形成し(b)ゲート絶縁膜を形成し(c)導電膜、エッチストッパ膜を堆積し(d)エッチストッパ膜、導電膜をエッチングした積層ゲート電極構造を形成し(e)積層ゲート電極構造の側壁上に第1絶縁膜を形成し(f)積層ゲート電極側壁上に第1サイドウォールスペーサ層を形成し(g)エッチストッパ層を除去し(h)他の領域の導電層から、ゲート電極構造を形成し(i)積層ゲート電極構造、ゲート電極構造側壁上に第2サイドウォールスペーサを形成し(j)希弗酸水溶液で半導体基板表面を露出し(k)半導体基板表面にシリサイド層を形成する。【選択図】図6-7
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成し、前記トンネル絶縁膜の上にフローティングゲート電極膜、電極間絶縁膜を堆積し、パターニングして、フローティングゲート電極構造を形成する工程と; (b)前記半導体基板の他の領域にゲート絶縁膜を形成する工程と; (c)前記フローティングゲート電極構造、前記ゲート絶縁膜を覆って、導電膜、エッチストッパ膜を堆積する工程と; (d)前記エッチストッパ膜、導電膜をエッチングして不揮発性メモリの積層ゲート電極構造を形成する工程と; (e)前記積層ゲート電極構造の側壁上に、リーク防止用第1絶縁膜を形成する工程と; (f)前記リーク防止用第1絶縁膜を覆って、LP-CVDにより窒化シリコン膜を堆積し、異方性エッチングして、前記積層ゲート電極側壁上に第1サイドウォールスペーサ層を残す工程と; (g)前記エッチストッパ層を除去する工程と; (h)前記他の領域の前記導電層をパターニングし、ゲート電極構造を形成する工程と; (i)前記半導体基板全面に第2絶縁膜を堆積し、異方性エッチングして、前記積層ゲート電極構造、ゲート電極構造側壁上に第2サイドウォールスペーサを残す工程と; (j)希弗酸水溶液で前記半導体基板表面を露出する工程と; (k)露出した前記半導体基板表面にシリサイド層を形成する工程と; を含む半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10
FI (7件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321K ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481
Fターム (136件)：
5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BD02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA19 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083LA21 ,  5F083MA03 ,  5F083MA04 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR15 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR53 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA02 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE05 ,  5F101BE06 ,  5F101BF02 ,  5F101BF08 ,  5F101BF09 ,  5F101BH03 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH21 ,  5F140AA00 ,  5F140AA08 ,  5F140AA14 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BD09 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE14 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF42 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG19 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG49 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BG58 ,  5F140BH14 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK27 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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