特許

J-GLOBAL ID：201203034089139565

GaN系膜の製造方法

発明者： 佐藤 一成 ,  関 裕紀 ,  上松 康二 ,  山本 喜之 ,  松原 秀樹 ,  藤原 伸介 ,  吉村 雅司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-230682
公開番号（公開出願番号）：特開2012-121788
出願日： 2011年10月20日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】主面の面積が大きく反りの小さいGaN系膜を製造することが可能なGaN系膜の製造方法を提供する。【解決手段】本GaN系膜の製造方法は、主面11m内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板11と、支持基板11の主面11m側に配置されている単結晶膜13と、を含み、単結晶膜13が単結晶膜13の主面13mに垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板10を準備する工程と、複合基板10における単結晶膜13の主面13m上にGaN系膜20を成膜する工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

主面内の熱膨張係数が、GaN結晶のa軸方向の熱膨脹係数に比べて、0.8倍より大きく1.2倍より小さい支持基板と、前記支持基板の主面側に配置されている単結晶膜と、を含み、前記単結晶膜が前記単結晶膜の主面に垂直な軸に対して3回対称性を有する複合基板を準備する工程と、 前記複合基板における前記単結晶膜の主面上にGaN系膜を成膜する工程と、を含むGaN系膜の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 D

Fターム (10件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE10 ,  4G077EF03 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-234314   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-069043   出願人：日本電気株式会社
• 複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-026215   出願人：住友電気工業株式会社
• Si基板結晶上における窒化ガリウム結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-078464   出願人：農工大ティー・エル・オー株式会社