特許
J-GLOBAL ID：201003092532790776

複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法

発明者：
松本 直樹

松本 直樹 について

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八郷 昭広

八郷 昭広 について

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佐藤 史隆

佐藤 史隆 について

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前田 洋子

前田 洋子 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良 ,  戸津 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-026215
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182936
出願日： 2009年02月06日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】支持基板上に高品質の窒化物半導体層が形成された複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】複合基板は、支持基板と、窒化物半導体層と、支持基板と窒化物半導体層との間に設けられた接合層とを備える。窒化物半導体層の転位密度は、1×108個/cm2以下である。窒化物半導体層は、接合層側の第1面と、第1面とは反対側の第2面とを有している。第1面における転位密度と第2面における転位密度との差が1×102個/cm2以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、 窒化物半導体層と、 前記支持基板と前記窒化物半導体層との間に設けられた接合層と、 を備え、 前記窒化物半導体層の転位密度は、1×108個/cm2以下であり、 前記窒化物半導体層は、前記接合層側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有しており、 前記第1面における転位密度と前記第2面における転位密度との差が1×102個/cm2以下である、複合基板。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 33/32
FI (4件)：
H01L21/02 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/48 D ,  H01L33/00 186
Fターム (42件)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP02 ,  5F152MM02 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM18 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN17 ,  5F152NN19 ,  5F152NN21 ,  5F152NN22 ,  5F152NN23 ,  5F152NN29 ,  5F152NP09 ,  5F152NP19 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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