特許
J-GLOBAL ID：201203035220961086

多孔質材料の構造解析方法

発明者：
押田 京一

押田 京一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について


代理人 (1件)： 三枝 弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-046390
公開番号（公開出願番号）：特開2012-184943
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】多孔質材料の構造を容易かつ詳細に解析することを目的とする。【解決手段】本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像15を形成することを特徴とする。特に、小角電子線散乱像15の画像データに構造解析処理を施すことができる。また、小角電子線散乱部分の構造解析処理を併用することができる。さらに、透過像を併用することもできる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像を形成することを特徴とする多孔質材料の構造解析方法。
IPC (2件)：
G01N 23/201 ,  G01N 23/04
FI (2件)：
G01N23/201 ,  G01N23/04
Fターム (10件)：
2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001BA18 ,  2G001CA03 ,  2G001GA12 ,  2G001GA13 ,  2G001HA13 ,  2G001KA08 ,  2G001KA12 ,  2G001LA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
  • 集束イオンビーム装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-204398   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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