特許
J-GLOBAL ID：201203035371068863
半導体装置の製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-254535
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104782
出願日： 2010年11月15日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：
【課題】接続信頼性の高い半導体装置を安定的に製造することができる半導体装置の製造方法および装置を提供すること。【解決手段】複数の回路基板1の第一端子と、複数の半導体素子2のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に樹脂層3を配置して複数の積層体4を形成し、複数の積層体4を加熱しながら、複数の積層体4を同時に積層体4の積層方向から加圧する。このとき、複数の積層体4を加熱炉51内で加熱しながら、加熱炉51内に配置されたダイアフラム54を複数の積層体4あるいは、複数の積層体4を挟圧するための部材531に当接させて弾性変形させることより、複数の積層体4を真空下で同時に積層体4の積層方向から加圧する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
表面に半田層を有する第一端子を有する回路基板と、この回路基板の前記第一端子に接合されるバンプを有する半導体素子とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記回路基板の第一端子と、前記半導体素子のバンプとの間に、フラックス活性化合物と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層を配置して積層体を得る工程と、
前記積層体を前記第一端子の前記半田層の融点以上に加熱して、前記第一端子と、前記バンプとを半田接合させ、流体により前記積層体を加圧しながら、前記樹脂層を硬化させる工程とを含み、
積層体を得る前記工程では、
複数の前記回路基板の第一端子と、複数の前記半導体素子のバンプとをそれぞれ対向配置させ、各第一端子と各バンプとの間に前記樹脂層を配置して複数の積層体を形成し、複数の前記積層体を加熱炉内で加熱しながら、前記加熱炉内に配置されたダイアフラムを弾性変形させることより、前記複数の積層体を真空下で同時に前記積層体の積層方向から加圧する半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F044KK01
, 5F044KK14
, 5F044LL01
, 5F044LL04
, 5F044LL11
