特許
J-GLOBAL ID：201203035727373925
不揮発性メモリのための温度警報および低レートリフレッシュ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野村 泰久
, 大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-544119
公開番号（公開出願番号）：特表2012-514265
出願日： 2008年12月30日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
不揮発性メモリ内の温度を測定するための方法および装置が記載されている。その温度は、不揮発性メモリ内のレジスタに記憶されている。また、温度警報は、その不揮発性メモリが一定期間内に閾値温度を超えたことを示す1ビット以上のビットを備える。そして、ホストによって温度警報がアクティブであることを決定し、その温度警報がアクティブであるという決定に応答して、不揮発性メモリの少なくとも一部をリフレッシュする。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリであって、前記不揮発性メモリ内の温度を測定する温度センサと、所定期間において前記不揮発性メモリが閾値温度を超えたことを示す1ビット以上のビットからなる温度警報を記憶するレジスタとを含む不揮発性メモリと、
前記温度警報がアクティブであることを決定し、前記温度警報がアクティブであることを決定したことに応じて、前記不揮発性メモリの少なくとも一部をリフレッシュするコントローラと、
を備えることを特徴とする装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G06F12/16 310A
, G11C17/00 614
, G11C17/00 601E
5B018GA04
, 5B018KA22
, 5B018NA01
, 5B018NA06
, 5B018QA02
, 5B018RA11
, 5B125BA01
, 5B125CA13
, 5B125CA28
, 5B125DE16
, 5B125EH08
, 5B125FA02
