特許
J-GLOBAL ID：201203035921071425
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
棚井 澄雄
, 森 隆一郎
, 松尾 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-052532
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190960
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】電磁シールド機能を備えていて、小型・薄型化と低コスト化とを共に実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一つ以上の半導体装置用回路が面付けされた回路基板1に対して一つ以上の電子部品2を実装する。さらに、回路基板1に形成されたグランド接続用のランド上において、電子部品2を囲むようにして側壁シールド金属部品(金属部品)4を実装する。その後、電子部品2の上面を覆い、かつ側壁シールド金属部品4の上端の一部が電気接点として露出されるように、封止樹脂(絶縁性樹脂)3で封止する。そして、封止樹脂3の上部を覆い、かつ側壁シールド金属部品4の電気接点と接続されるようにシールド層(導電層)5を形成する。その後、側壁シールド金属部品4を両端に残して回路基板1を切断することにより、個片化された電磁シールド機能付き半導体装置7aが製造される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一つ以上の半導体装置用回路が面付けされた回路基板に、一つ以上の電子部品を実装する第1の工程と、
前記回路基板に形成されたグランド接続用のランド上において、前記電子部品を囲むように金属部品を実装する第2の工程と、
前記金属部品の電気接点と接続されるように導電層を形成する第3の工程と、
前記金属部品を両端に残して前記回路基板を切断することにより、該回路基板を個片化する第4の工程と、
を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/28 F
, H01L23/28 K
, H01L23/00 C
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA04
, 4M109EE07
