特許
J-GLOBAL ID：201003036398486561
高周波モジュールとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-247844
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080699
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】本発明はグランド端子と導体膜との接続に特殊な加工を不要とした高周波モジュールを提供することを目的とするものである。【解決手段】この課題を解決するために、基板12の上面に装着された枠体15と、この枠体15に設けられた孔15a内であるとともに基板12の上面に装着された複数の電子部品3と、孔15a内に設けられると共に電子部品3が埋設された樹脂埋設部16と、この樹脂埋設部16上に設けられた導体膜19と、基板12の上面に設けられたグランド端子18とを備え、少なくとも孔15aの内側面には導体17aを設け、導体膜19とグランド端子18との間は導体17aを介して接続されたものである。これにより、導体17aと導体膜19との接続に特殊な加工も不要である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板の上面に装着された枠体と、この枠体に設けられた孔と、この孔内であるとともに前記基板の上面に装着された複数の電子部品と、前記孔内に設けられると共に前記電子部品が埋設された樹脂埋設部と、この樹脂埋設部上に設けられた導体膜と、前記基板の上面に設けられたグランド端子とを備え、少なくとも前記孔の内側面にはシールド導体を設け、前記導体膜と前記グランド端子との間は前記シールド導体を介して接続された高周波モジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/00
, H01L 23/12
, H01L 23/28
H01L23/00 C
, H01L23/12 E
, H01L23/28 F
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA10
, 4M109DB09
, 4M109ED05
, 4M109EE07
, 4M109GA02
