特許

J-GLOBAL ID：201203036311734887

単層カーボンナノチューブの結晶作製方法、単層カーボンナノチューブ結晶及び単層カーボンナノチューブ結晶を用いた電子デバイス

発明者： 柳 和宏 ,  中津 亨 ,  吉宗 良祐 ,  工藤 光
出願人/特許権者： 公立大学法人首都大学東京
代理人 (2件)： 鐘尾 宏紀 ,  松本 征二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-282196
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144426
出願日： 2011年12月22日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのSWCNTの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたSWCNT結晶、並びに該SWCNT結晶を用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N

Fターム (13件)：

4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AD30 ,  4G146CA11 ,  4G146CA16 ,  4G146CB01 ,  4G146CB10 ,  4G146CB17 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36 ,  4G146CB40

引用文献：

審査官引用 (7件)

• "Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process"
• "Scaling Properties in Transistors That Use Aligned Arrays of Single-Walled Carbon Nanotubes"
• 「単層カーボンナノチューブの希薄溶液からの結晶化」
• "Effect of deposition conditions on percolation in single-walled carbon nanotube networks"
• "Ordering in a Droplet of an Aqueous Suspension of Single-Wall Carbon Nanotubes on a Solid Substrate
• "Self-Organization of Carbon Nanotubes in Evaporating Droplets"
• "Percolation in networks of aligned SWNTs formed with laminar flow deposition"