特許
J-GLOBAL ID：201203036444768164

微細構造体およびその製造方法

発明者：
山下 広祐

山下 広祐 について

, 
畠中 優介

畠中 優介 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-141260
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009146
出願日： 2010年06月22日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：
【課題】配線不良を抑制することができる異方導電部材を提供することができる微細構造体およびその製造方法の提供。【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔の内部に金属および絶縁性物質を充填させた微細構造体であって、 前記絶縁性基材における、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2であり、前記貫通孔の平均開口径が10〜5000nmであり、前記貫通孔の平均深さが10〜1000μmであり、 前記貫通孔の前記金属のみによる封孔率が80%以上であり、 前記貫通孔の前記金属および前記絶縁性物質による封孔率が99%以上であり、 前記絶縁性物質が、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシド、塩化リチウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも1種である微細構造体。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁性基材に設けられた貫通孔の内部に金属および絶縁性物質を充填させた微細構造体であって、 前記絶縁性基材における、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2であり、前記貫通孔の平均開口径が10〜5000nmであり、前記貫通孔の平均深さが10〜1000μmであり、 前記貫通孔の前記金属のみによる封孔率が80%以上であり、 前記貫通孔の前記金属および前記絶縁性物質による封孔率が99%以上であり、 前記絶縁性物質が、水酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、金属アルコキシド、塩化リチウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブおよび酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも1種である微細構造体。
IPC (2件)：
H01R 11/01 ,  H01R 43/00
FI (2件)：
H01R11/01 501G ,  H01R43/00 H
Fターム (1件)：
5E051CA04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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