特許
J-GLOBAL ID:201203037096968894

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-145514
公開番号(公開出願番号):特開2012-032806
出願日: 2011年06月30日
公開日(公表日): 2012年02月16日
要約:
【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像を行うパターン形成方法。【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による2回の現像によって1本のラインを2本に分割し、マスクパターンの2倍の解像力を得ることができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件):
G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26
FI (5件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26
Fターム (106件):
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096JA08 ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH04 ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH11 ,  2H125AH13 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH20 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ18Y ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ35Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ68Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ74X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AJ83Y ,  2H125AJ84Y ,  2H125AJ95Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H125FA23 ,  4J100AB07T ,  4J100AE09T ,  4J100AF15S ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02T ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA11T ,  4J100BA15Q ,  4J100BA22P ,  4J100BA22Q ,  4J100BA22R ,  4J100BA56T ,  4J100BB12T ,  4J100BB18R ,  4J100BB18T ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09S ,  4J100BC12Q ,  4J100BC15Q ,  4J100BC49R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53S ,  4J100BC53T ,  4J100BC58R ,  4J100BC84R ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (3件)

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