特許
J-GLOBAL ID:201203037150150029
光デバイスウエーハの加工方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
松本 昂
, 伊藤 憲二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-264045
公開番号(公開出願番号):特開2012-114366
出願日: 2010年11月26日
公開日(公表日): 2012年06月14日
要約:
【課題】 ムシレ及び電極同士の短絡を生じることなく透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げることのできる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】 発光層に複数の光デバイスが形成され且つ該発光層の表面に光特性を向上させる透光性モールド樹脂が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、該透光性モールド樹脂が露出するように光デバイスウエーハをチャックテーブルで保持する保持工程と、該チャックテーブルで保持された光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を満遍なく旋削して該透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げる旋削工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図7
請求項(抜粋):
発光層に複数の光デバイスが形成され且つ該発光層の表面に光特性を向上させる透光性モールド樹脂が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、
該透光性モールド樹脂が露出するように光デバイスウエーハをチャックテーブルで保持する保持工程と、
該チャックテーブルで保持された光デバイスウエーハの該透光性モールド樹脂にバイトを回転させながら作用させて、該透光性モールド樹脂を満遍なく旋削して該透光性モールド樹脂を所望の厚みに仕上げる旋削工程と、
を具備したことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/78 L
, H01L21/78 M
, B23B5/00 A
Fターム (1件):
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-007038
出願人:日亜化学工業株式会社
-
半導体ウエーハの加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-121302
出願人:株式会社ディスコ
-
半導体ウエーハの電極加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-062687
出願人:株式会社ディスコ
全件表示
前のページに戻る