特許
J-GLOBAL ID：200903052763739606

半導体ウエーハの加工方法

発明者：
波岡 伸一

波岡 伸一 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (1件)： 末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-121302
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303105
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 回路の電極に、デバイスに分割した際の切削屑が付着することがなく、実装された状態で断線のおそれがない高品質のデバイスを得ることができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハ1の表面の、デバイス2を区画するストリート3に沿って、得ようとするデバイス2の厚さに相当する深さの分割溝6を形成し(ハーフカット工程)、突出するバンプ4の先端を削り取って高さを揃え(電極高さ揃え工程)、半導体ウエーハ1の表面を保護シール7で覆ってから、分割溝6が表出するまで裏面側を研削し(裏面研削工程)、半導体ウエーハ1をデバイス2に分割する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
複数の電極が突出し、かつ、ストリートによって区画された複数のデバイスが表面に形成された半導体ウエーハから、前記デバイスを個々に得る半導体ウエーハの加工方法であって、 前記半導体ウエーハの裏面側をチャックテーブル上に保持した状態として、該半導体ウエーハの表面の前記ストリートに沿って切削し、得ようとする前記デバイスの厚さに相当する深さの分割溝を形成するハーフカット工程と、 前記半導体ウエーハの裏面側をチャックテーブル上に保持して、前記複数の電極の先端を削り取ってこれら電極の高さを揃える電極高さ揃え工程と、 前記半導体ウエーハの表面を保護部材で覆い、該保護部材側をチャックテーブル上に保持して、半導体ウエーハの裏面側を、前記分割溝が表出するまで研削して、半導体ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程とを備えることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (2件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM