特許
J-GLOBAL ID：201203038288904160
半導体基板の超臨界乾燥方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 重野 隆之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-254922
公開番号（公開出願番号）：特開2012-109301
出願日： 2010年11月15日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：
【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、乾燥処理に要する時間を短縮することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、微細パターンが形成された半導体基板の純水リンス後に、半導体基板の表面を水溶性有機溶媒に置換し、水溶性有機溶媒に濡れた状態でチャンバ内に導入する。そして、チャンバ内の温度を昇温して、水溶性有機溶媒を超臨界状態にする。その後、チャンバ内を純水が液化しない温度に保ちながら圧力を下げ、超臨界状態の水溶性有機溶媒を気体に変化させてチャンバから排出し、半導体基板を乾燥させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
薬液を用いて半導体基板を洗浄する工程と、
前記洗浄後に、純水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、
前記リンス後に、前記半導体基板の表面に水溶性有機溶媒を供給して、前記半導体基板の表面を覆う液体を純水から前記水溶性有機溶媒に置換する工程と、
表面が前記水溶性有機溶媒で濡れた前記半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、
前記チャンバ内の温度を前記水溶性有機溶媒の臨界温度以上に昇温して、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、
前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にした後、前記チャンバ内の温度を純水が液化しない所定温度に保ちながら前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、
を備える半導体基板の超臨界乾燥方法。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 651Z
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 642A
5F157AA46
, 5F157AA64
, 5F157AA71
, 5F157AA73
, 5F157AB02
, 5F157AB13
, 5F157AB33
, 5F157AB42
, 5F157AC02
, 5F157AC03
, 5F157AC26
, 5F157BB02
, 5F157BB03
, 5F157BC33
, 5F157BE12
, 5F157BF03
, 5F157BF22
, 5F157BF33
, 5F157CB02
, 5F157CB03
, 5F157CB04
, 5F157CB26
, 5F157CE65
, 5F157DA21
, 5F157DB37
, 5F157DB45
