特許
J-GLOBAL ID：201203038581064908
超伝導集積回路を製造するためのシステムおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-552154
公開番号（公開出願番号）：特表2012-519379
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：
様々な技法および装置が、例えば量子コンピュータで有用となることがある超伝導回路および構造、例えばジョセフソン接合の製造を可能にする。例えば、超伝導することができる2つの要素または層の間に誘電体構造または層が挿間された、低い磁束ノイズの三層構造を製造することができる。超伝導バイアが、ジョセフソン接合の上に直接位置することがある。平坦化された誘電体層上に構造、例えばジョセフソン接合を担持することができる。構造から熱を除去するためにフィンを採用することができる。超伝導することができるバイアは、約1マイクロメートル未満の幅を有することができる。構造は、例えばバイアおよび/またはストラップコネクタによって抵抗器に結合することができる。
請求項（抜粋）：
第1の臨界温度以下で超伝導する第1の材料から形成される第1の電極、前記第1の臨界温度以下で超伝導する前記第1の材料から形成される第2の電極、および前記第1の電極を前記第2の電極から離隔するために前記第1の電極と前記第2の電極の間に挿間される電気絶縁層を有するジョセフソン接合と、
第2の臨界温度以下で超伝導する第2の材料から構成される第1の超伝導電流経路とを備える超伝導回路であって、前記第2の材料が約1.0未満の磁束ノイズ係数を有し、前記第1の超伝導電流経路が前記第1の電極に結合され、超伝導回路がさらに、
臨界温度以下で超伝導する材料から構成される第2の超伝導電流経路を備え、前記材料が、約1.0未満の磁束ノイズ係数を有し、第2の超伝導電流経路が前記第2の電極に結合される
超伝導回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L39/22 A
, H01L39/24 J
4M113AA04
, 4M113AA14
, 4M113AA25
, 4M113AC06
, 4M113AC45
, 4M113AD21
, 4M113AD36
, 4M113AD51
, 4M113BC04
, 4M113BC26
, 4M113CA12
, 4M113CA13
, 4M113CA42
