特許
J-GLOBAL ID：201203041605609375

窒化物半導体紫外線発光素子

発明者：
稲津 哲彦

稲津 哲彦 について

, 
ペルノ シリル

ペルノ シリル について


出願人/特許権者：
創光科学株式会社

創光科学株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-236690
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089754
出願日： 2010年10月21日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：
【課題】 窒化物半導体紫外線発光素子において、n型AlGaN系半導体層からなるn型クラッド層とn電極間の寄生抵抗を、n型クラッド層のAlNモル分率に関係なく低抵抗化し、順方向電圧の低電圧化を図る。【解決手段】 n型クラッド層6上のn型クラッド層6の表面と平行な面内の第1領域に、バンドギャップエネルギが3.4eV以上のAlGaN系半導体層を有する活性層7と、活性層7より上層に位置するp型AlGaN系半導体層からなるp型クラッド層9が形成され、n型クラッド層6上の第1領域以外の第2領域内の少なくとも一部に、n型AlGaN系半導体層からなるn型コンタクト層11が形成され、n型コンタクト層11のAlNモル分率が0%以上60%以下の範囲内にあって、且つ、n型クラッド層6のAlNモル分率より小さく、n型コンタクト層6とオーミック接触するn電極13がn型コンタクト層11上に形成されている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
n型AlGaN系半導体層からなるn型クラッド層上の前記n型クラッド層の表面と平行な面内の第1領域に、バンドギャップエネルギが3.4eV以上のAlGaN系半導体層を有する活性層と、前記活性層より上層に位置するp型AlGaN系半導体層からなるp型クラッド層が形成され、 前記n型クラッド層上の前記第1領域以外の第2領域内の少なくとも一部に、n型AlGaN系半導体層からなるn型コンタクト層が形成され、 前記n型コンタクト層のAlNモル分率が0%以上60%以下の範囲内にあって、且つ、前記n型クラッド層のAlNモル分率より小さく、 前記n型コンタクト層とオーミック接触するn電極が前記n型コンタクト層上に形成されていることを特徴とする窒化物半導体紫外線発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 186
Fターム (20件)：
5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F141AA24 ,  5F141AA43 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA74 ,  5F141CA84 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB15
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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