特許

J-GLOBAL ID：200903075941780623

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 勝野 弘 ,  大場 康夫 ,  金子 桂
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215597
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049267
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】発光層で生じた光を高効率に反射させ外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、前記積層体の第1の主面上に設けられ前記第1の半導体層に接続された第1の電極と、前記積層体の前記第1の主面上に設けられ前記第2の半導体層に接続された第2の電極と、を備え、前記第1の電極は、前記第1の半導体層の上に設けられた第1の金属膜を含む第1の領域と、前記第1の半導体層の上に設けられ前記発光層から放出される光に対する反射率が前記第1の金属膜よりも高く且つ前記第1の半導体層に対するコンタクト抵抗が前記第1の金属膜よりも高い第2の金属膜を含む第2の領域と、を有することを特徴とする半導体発光素子が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、 前記積層体の第1の主面上に設けられ前記第1の半導体層に接続された第1の電極と、 前記積層体の前記第1の主面上に設けられ前記第2の半導体層に接続された第2の電極と、 を備え、 前記第1の電極は、 前記第1の半導体層の上に設けられた第1の金属膜を含む第1の領域と、 前記第1の半導体層の上に設けられ前記発光層から放出される光に対する反射率が前記第1の金属膜よりも高く且つ前記第1の半導体層に対するコンタクト抵抗が前記第1の金属膜よりも高い第2の金属膜を含む第2の領域と、 を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB36 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA43 ,  5F041DA58 ,  5F041DA72 ,  5F041DA78

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-193085   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-301832   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-342998   出願人：松下電工株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-193085   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-222640   出願人：日亜化学工業株式会社