特許
J-GLOBAL ID：201203042445088310

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
木下 嘉将

木下 嘉将 について

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反町 和昭

反町 和昭 について


出願人/特許権者：
シチズンホールディングス株式会社

シチズンホールディングス株式会社 について

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シチズン電子株式会社

シチズン電子株式会社 について


代理人 (2件)： 宮島 明 ,  土屋 繁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276842
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124443
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】リードフレーム等の実装用回路基板がなくても、高い発光効率を維持したまま製造し易いLED装置を提供する。【解決手段】バンプ電極14を有するLED素子18は反射剤を含む封止部材11によって側面とともに下面が封止され、上面には蛍光体層15がある。封止部材11の下面にはバンプ電極14に接続する接続電極17が形成されている。このとき封止部材11とバンプ電極14の下面の高さが略一致し、接続電極17がメッキ電極からなる。LED素子18の側面と下面を反射性の封止部材11で囲むとLED素子18の発光が全て上方に向かうため発光効率が高い。この状態で封止部材11とバンプ電極14の下面を平坦にしておくことで接続電極17の形成にメッキ法が適用できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
バンプ電極を有する半導体発光素子と、該半導体発光素子から出射する光を波長変換する蛍光体層と、少なくとも該半導体発光素子の側面を封止する封止部材と、外部基板との接続をとる接続電極とを備える半導体発光装置において、 前記蛍光体層は前記半導体発光素子の上面に形成され、 前記封止部材は反射剤を含み、前記半導体発光素子の側面とともに前記バンプ電極を除く前記半導体発光素子の下面を封止し、 前記封止部材と前記バンプ電極の下面の高さが略一致し、 前記接続電極が前記封止部材及び前記バンプ電極の下面に接し、メッキ電極からなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/50
FI (1件)：
H01L33/00 410
Fターム (5件)：
5F041AA42 ,  5F041DA12 ,  5F041DB03 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (4件)
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