半導体基板、その製造方法、および電子装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-065266
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204425
出願日： 2011年03月24日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。【解決手段】本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第1の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第1の埋め込み膜よりも高密度のである第2の埋め込み膜と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸するカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第1の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第1の埋め込み膜よりも高密度である第2の埋め込み膜と、を有する半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/320 , H01L 23/532 , H01L 21/768 , C01B 31/02

FI (3件)：

H01L21/88 M , H01L21/90 A , C01B31/02 101F

Fターム (61件)：

4G146AA11 , 4G146AB08 , 4G146AD28 , 4G146BA12 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC27 , 4G146BC32 , 4G146BC33 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146CB07 , 4G146CB19 , 4G146CB32 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033JJ00 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033PP08 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033RR30 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT01 , 5F033VV10 , 5F033VV13 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

カーボンナノチューブパッド及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-303944 出願人：富士通株式会社
カーボン配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-214727 出願人：富士通株式会社
配線構造及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-288491 出願人：パナソニック株式会社

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