特許
J-GLOBAL ID：201203047167117802
不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の制御方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-209650
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064286
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
【課題】 抵抗状態のばらつきを抑えてRRAMの可変抵抗素子の劣化を効果的に防止する。【解決手段】 電気抵抗が2以上の異なる抵抗状態に変化する可変抵抗素子Rを備えるメモリセルMを複数備えるメモリセルアレイ10と、可変抵抗素子Rの取り得る抵抗値の範囲を、複数の目標範囲と複数の中間範囲に区分し、メモリセルMの抵抗値が、複数の目標範囲と複数の中間範囲の内の何れの範囲内にあるかを判定する判定回路と、可変抵抗素子Rに対し抵抗値が目標範囲の中の1つの範囲内となるように電圧パルスを印加して、メモリセルMに情報を書き込む書き込み回路13と、を備え、隣接する2つの目標範囲間に中間範囲が2以上存在し、判定回路において、メモリセルMの抵抗値が所定の目標範囲にないと判定されたメモリセルMに対し、少なくとも中間範囲別に設定された第1印加条件で電圧パルスを印加する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
電圧パルスの印加により電気抵抗が2以上の異なる抵抗状態に変化し、前記抵抗状態を不揮発的に保持することにより情報を記憶可能な可変抵抗素子を備えるメモリセルを複数備えてなるメモリセルアレイと、
前記可変抵抗素子の取り得る抵抗値の範囲を、複数の目標範囲と複数の中間範囲に区分し、前記メモリセルの抵抗値が、複数の前記目標範囲と複数の前記中間範囲の内の何れの範囲内にあるかを判定する判定処理を行う判定回路と、
前記可変抵抗素子に対し抵抗値が前記目標範囲の中の1つの範囲内となるように電圧パルスを印加して、前記メモリセルに情報を書き込む書き込み回路と、を備え、
隣接する2つの前記目標範囲間に前記中間範囲が2以上存在し、
前記判定回路において抵抗値が前記中間範囲にあると判定された前記メモリセルに対し、前記中間範囲別に設定された第1印加条件で電圧パルスを印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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