特許
J-GLOBAL ID：201203049757668092

光センシング装置及びその駆動方法

発明者：
田 ▲尚▼勳

田 ▲尚▼勳 について

, 
宋 利憲

宋 利憲 について

, 
安 承彦

安 承彦 について

, 
金 昌▲ジュン▼

金 昌▲ジュン▼ について

, 
金 暎

金 暎 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-091717
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231138
出願日： 2012年04月13日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：
【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負(-)のバイアス電圧が印加される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を感知するための光センサートランジスタ、前記光センサートランジスタからデータを出力するためのスイッチトランジスタ、及び前記スイッチトランジスタの光入射面に配された導電性光遮蔽膜をそれぞれ備える、複数の光センシング画素のアレイと、 それぞれの光センシング画素にゲート電圧及び負のバイアス電圧を提供するための第1ゲートドライバと、 それぞれの光センシング画素から光センシング信号を受けてデータ信号を出力するための信号出力部と、を備える光センシング装置。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/026 ,  H04N 5/374
FI (7件)：
H01L27/14 C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 619A ,  H01L31/08 M ,  H04N5/335 740
Fターム (46件)：
4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA09 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118GB06 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  5C024CX31 ,  5C024CY47 ,  5C024GX04 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ36 ,  5F088AA09 ,  5F088AB01 ,  5F088AB09 ,  5F088BB02 ,  5F088DA03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA13 ,  5F088EA16 ,  5F088FA04 ,  5F088GA02 ,  5F088HA10 ,  5F088HA12 ,  5F110AA21 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110HK07 ,  5F110NN23 ,  5F110NN44
引用特許：
出願人引用 (13件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM