特許
J-GLOBAL ID：200903079809785077

光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子

発明者：
田中 勉

田中 勉 について

, 
ゴサイン ダラム パル

ゴサイン ダラム パル について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-020558
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182194
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】酸化物半導体からなる半導体層を用いたいわゆるMOS型の素子において、新たに見い出された半導体層での受光によるVg-Id特性の不揮発的な変化を利用した受光量の検知を行うことが可能な光センサー素子を提供する。【解決手段】酸化物半導体からなる半導体層17に対してゲート絶縁膜15を介してゲート電極13が積層され、当該半導体層17にソース電極19sおよびドレイン電極19dが接続された光センサー素子1aにおいて、半導体層17での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す。ドレイン電流値の読み出しは、半導体層17が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体からなる半導体層に相対してゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられ、当該半導体層にソース電極およびドレイン電極が接続された光センサー素子において、 前記半導体層での受光量を、ゲート電圧に対して不揮発的に変化したドレイン電流値として読み出す ことを特徴とする光センサー素子。
IPC (4件)：
H01L 31/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/10
FI (6件)：
H01L31/10 A ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/14 C ,  H01L27/10 451
Fターム (31件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CB05 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA09 ,  5F049RA04 ,  5F049SS03 ,  5F083FZ04 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110GG04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
  • 固体電子装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-039208   出願人：国立大学法人東京工業大学
  • トランジスタ構造及びその製作方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2005-501592   出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
  • 薄膜トランジスタ、フォトセンサ及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-286235   出願人：カシオ計算機株式会社

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