レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および新規な化合物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-273831
公開番号（公開出願番号）：特開2012-123189
出願日： 2010年12月08日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】レジスト組成物用クエンチャーとして好適な化合物、該クエンチャーを含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、下記一般式(c1)で表される化合物(C1)を含む含窒素有機化合物成分(C)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(ただし、前記化合物(C1)を除く)を含有することを特徴とするレジスト組成物[式中、RNは置換基を有していてもよい含窒素複素環式基であり;X0は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の2価の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の環状若しくは環状の部分構造を有する2価の脂肪族炭化水素基、又はこれらの水素原子の一部若しくは全てがフッ素原子で置換された基であり;M+は有機カチオンである。]。[化1]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、下記一般式(c1)で表される化合物(C1)を含む含窒素有機化合物成分(C)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(ただし、前記化合物(C1)を除く)を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (13件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , C07C 381/12 , C08F 20/18 , C07D 333/76 , C07D 327/04 , C07D 493/08 , C07D 333/46 , C07D 335/02 , C07D 335/16 , C07D 307/94 , C07D 333/54 , C07D 311/00

FI (13件)：

G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , C07C381/12 , C08F20/18 , C07D333/76 , C07D327/04 , C07D493/08 A , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D335/16 , C07D307/94 , C07D333/54 , C07D311/00

Fターム (54件)：

2H125AF16P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF38P , 2H125AH18 , 2H125AH19 , 2H125AJ14X , 2H125AJ65X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN63P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 4C023AA01 , 4C023JA05 , 4C037WA01 , 4C062KK10 , 4C071AA03 , 4C071BB01 , 4C071CC12 , 4C071DD40 , 4C071EE05 , 4C071FF15 , 4C071GG01 , 4C071HH09 , 4C071LL10 , 4H006AA03 , 4H006AB81 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA40R , 4J100BA58Q , 4J100BB18R , 4J100BC02P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC08R , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC12P , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、この組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-148310 出願人：富士フイルム株式会社
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物およびその製造方法、ならびに酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-254156 出願人：東京応化工業株式会社

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