特許
J-GLOBAL ID：201203049873347813

球状半導体の製造装置

発明者：
永山勝久

永山勝久 について

, 
作田裕介

作田裕介 について


出願人/特許権者：
学校法人 芝浦工業大学

学校法人 芝浦工業大学 について


代理人 (1件)： 工藤 一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008073948
公開番号（公開出願番号）：WO2010-073413
出願日： 2008年12月25日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】従来の球状半導体の製造装置および製造方法は、半導体材料を浮遊状態で溶融し、それをドロップチューブ中を落下させることで、球状の半導体を得ていた。この方法では、半導体材料を一つ一つ浮遊させ、溶融させてから落下させるため、大量の球状半導体を製造するには不向きであった。【解決手段】そこで本件発明では、電磁誘導加熱溶融された半導体材料を少量ずつ滴下可能なロートを有するホッパーと、前記電磁力を印加するためにホッパーの半導体装填領域を取り囲むように配置された誘導加熱コイルと、ホッパーから滴下される溶融状態の半導体材料を冷却し球状化するためのドロップチューブと、ドロップチューブ内を落下し冷却されて固体状態となった球状半導体を受けるための受容部と、を有する球状半導体の製造装置を提供する。これにより、大量の球状半導体を容易に製造することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体材料を装填可能で、外からの電磁力によって浮遊状態で電磁誘導加熱溶融された半導体材料を少量ずつ滴下可能なロートを有するホッパーと、 前記電磁力を印加するためにホッパーの半導体装填領域を取り囲むように配置された誘導加熱コイルと、 ホッパーから滴下される溶融状態の半導体材料を冷却し球状化するためのドロップチューブと、 ドロップチューブ内を落下し冷却されて固体状態となった球状半導体を受けるための受容部と、 を有する球状半導体の製造装置。
IPC (5件)：
H01L 29/06 ,  C30B 30/08 ,  C30B 29/06 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04
FI (5件)：
H01L29/06 601B ,  C30B30/08 ,  C30B29/06 501Z ,  C01B33/02 Z ,  H01L31/04 X
Fターム (28件)：
4G072AA01 ,  4G072BB07 ,  4G072DD01 ,  4G072DD02 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ02 ,  4G072JJ50 ,  4G072LL03 ,  4G072MM38 ,  4G072NN09 ,  4G072RR23 ,  4G072UU02 ,  4G077AA01 ,  4G077BA04 ,  4G077CD10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG15 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ06 ,  4G077HA01 ,  4G077MB14 ,  4G077RA07 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB02 ,  5F151CB04
引用特許：
出願人引用 (3件)

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