特許
J-GLOBAL ID:201203049907473899

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-201665
公開番号(公開出願番号):特開2012-097073
出願日: 2011年09月15日
公開日(公表日): 2012年05月24日
要約:
【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す;L1は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい;R1は、ヒドロキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基又は炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基を表す;sは、互いに独立に、1〜3の整数を表す;Z+は、有機対イオンを表す。]【選択図】なし
請求項(抜粋):
式(I)で表される塩。
IPC (11件):
C07C 309/17 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 ,  C08F 220/12 ,  C07D 233/60 ,  C07D 327/08 ,  C07D 307/93 ,  C07D 307/33
FI (11件):
C07C309/17 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K ,  C08F220/12 ,  C07D233/60 104 ,  C07D327/08 ,  C07D307/93 ,  C07D307/32 Q
Fターム (47件):
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL03 ,  2H125AL22 ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4C037FA10 ,  4C037UA04 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB80 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15S ,  4J100BC04T ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC58R ,  4J100BC58S ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100DA40 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (2件)

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