特許
J-GLOBAL ID：201003031842535963

ネガ型現像用レジスト組成物、これを用いたパターン形成方法、レジスト膜、及び、パターン

発明者：
上村 聡

上村 聡 について

, 
樽谷 晋司

樽谷 晋司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-282310
公開番号（公開出願番号）：特開2010-164958
出願日： 2009年12月11日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により、特定の構造を有する酸を発生する光酸発生剤と、(C)溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、 (B)活性光線又は放射線の照射により、下記一般式(I)で表される酸を発生する光酸発生剤と を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 515 ,  G03F7/004 521 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R
Fターム (53件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096JA08 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF52P ,  2H125AH14 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ41Y ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ63Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ66Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AJ75X ,  2H125AJ75Y ,  2H125AJ88X ,  2H125AJ89X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN67P ,  2H125AN82P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC05 ,  2H125CC15 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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