特許
J-GLOBAL ID:201203050618447454
研磨装置および方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
渡邉 勇
, 小杉 良二
, 廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-201098
公開番号(公開出願番号):特開2012-056011
出願日: 2010年09月08日
公開日(公表日): 2012年03月22日
要約:
【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。【解決手段】研磨面101aを有した研磨テーブル100と、基板Wを保持して研磨面101aに押圧する基板保持装置1と、制御部50とを備えた研磨装置であって、基板保持装置1は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜4と、弾性膜4の上方に位置するキャリア43と、弾性膜4とキャリア43との間に形成された圧力室5,6,7,8と、弾性膜4からの熱エネルギを測定する赤外線検出器45とを備え、制御部50は、赤外線検出器45による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
研磨面を有した研磨テーブルと、基板を保持して前記研磨面に押圧する基板保持装置と、制御部とを備えた研磨装置であって、
前記基板保持装置は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜と、前記弾性膜の上方に位置するキャリアと、前記弾性膜と前記キャリアとの間に形成された圧力室と、前記弾性膜からの熱エネルギを測定する赤外線検出器とを備え、
前記制御部は、前記赤外線検出器による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出することを特徴とする研磨装置。
IPC (6件):
B24B 37/015
, B24B 49/12
, B24B 49/14
, B24B 49/10
, H01L 21/304
, B24B 37/04
FI (6件):
B24B37/00 J
, B24B49/12
, B24B49/14
, B24B49/10
, H01L21/304 622K
, B24B37/04 E
Fターム (28件):
3C034AA13
, 3C034AA17
, 3C034BB73
, 3C034BB92
, 3C034BB93
, 3C034CA19
, 3C034CA22
, 3C034CB01
, 3C034DD10
, 3C034DD20
, 3C058AA07
, 3C058AB04
, 3C058BA02
, 3C058BA05
, 3C058BA08
, 3C058BC01
, 3C058CB01
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 5F057AA20
, 5F057BA11
, 5F057DA03
, 5F057FA13
, 5F057FA19
, 5F057FA20
, 5F057GA04
, 5F057GB07
, 5F057GB40
引用特許:
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