特許
J-GLOBAL ID：201203050983604836
MgB2超電導バルク磁石の製造方法、およびMgB2超電導バルク磁石
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人 インテクト国際特許事務所
, 石川 泰男
, 石橋 良規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-244166
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099564
出願日： 2010年10月29日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：
【課題】すぐれた超電導性能を有し、強力コイル磁石としての使用の可能性も高いMgB2に着目し、これを線材ではなく、バルク磁石として利用するための、MgB2超電導バルク磁石の製造方法、および当該方法によって製造したMgB2超電導バルク磁石を提供すること。【解決手段】粒径10μm以下のホウ素元素含有粉末と、マグネシウム元素含有粉末とが混合されてなる原料粉末を調整する原料粉末調整工程と、前記原料粉末調整工程により調整された原料粉末を任意のバルク形状に成型するバルク成型工程と、前記バルク成型工程により形成されたバルクを熱処理する熱処理工程と、前記熱処理工程後のバルクを着磁して磁石とする着磁工程と、からなることを特徴とするMgB2超電導バルク磁石の製造方法を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
粒径10μm以下のホウ素元素含有粉末と、マグネシウム元素含有粉末とが混合されてなる原料粉末を調整する原料粉末調整工程と、
前記原料粉末調整工程により調整された原料粉末を任意のバルク形状に成型するバルク成型工程と、
前記バルク成型工程により形成されたバルクを熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程後のバルクを着磁して磁石とする着磁工程と、
からなることを特徴とするMgB2超電導バルク磁石の製造方法。
IPC (3件)：
H01F 6/00
, C01B 35/12
, C01G 1/00
H01F7/22 A
, H01F7/22 Z
, C01B35/12 B
, C01G1/00 S
4G047JA02
, 4G047JC16
, 4G047KA17
, 4G047KB04
