特許
J-GLOBAL ID:201203051362441891

コンプライアントなボンディング構造を使用して半導体装置をボンディングする方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 津軽 進 ,  笛田 秀仙 ,  柴田 沙希子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-552542
公開番号(公開出願番号):特表2012-519954
出願日: 2010年02月19日
公開日(公表日): 2012年08月30日
要約:
コンプライアントなボンディング構造は、半導体装置とマウント40との間に配される。幾つかの実施例において、当該装置は、発光装置である。前記半導体発光装置が、例えば、前記半導体発光装置に超音波エネルギを供給することによって、前記マウントに取り付けられる場合、前記コンプライアントなボンディング構造は、前記半導体発光装置と前記マウントとの間の空間を部分的に充填するように崩壊する。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、ボンディングの間、塑性変形を経る複数金属バンプ32である。幾つかの実施例において、前記コンプライアントなボンディング構造は、多孔性金属層46である。
請求項(抜粋):
半導体装置とマウントとの間にコンプライアントなボンディング構造を配するステップと、 前記半導体装置を前記マウントにボンディングするステップであって、このボンディングは、前記コンプライアントなボンディング構造が前記半導体装置を前記マウントに電気的に機械的に接続するように、前記コンプライアントなボンディング構造を崩壊させ、前記コンプライアントなボンディング構造は、ボンディングの間、固相に留まる、ステップと、 を有する方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  H01L 33/62
FI (4件):
H01L21/60 311Q ,  H01L33/00 440 ,  H01L21/92 602G ,  H01L21/92 603A
Fターム (8件):
5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041DA01 ,  5F041DA09 ,  5F044KK00 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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