特許
J-GLOBAL ID:201203053876479432
電界効果トランジスタ
発明者:
,
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,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-067655
公開番号(公開出願番号):特開2012-204595
出願日: 2011年03月25日
公開日(公表日): 2012年10月22日
要約:
【課題】急峻なS値特性を有するとともに、ソース/ドレイン領域が同じ導電型となる対称構造を有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】本実施形態による電界効果トランジスタは、半導体層と、前記半導体層に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ソース領域および前記ドレイン領域側の前記ゲート電極の少なくとも一方の側面に設けられた高誘電体のゲート側壁と、を備え、前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記ゲート電極の対応する側面から離れている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体層と、
前記半導体層に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域側の前記ゲート電極の少なくとも一方の側面に設けられた高誘電体のゲート側壁と、
を備え、
前記ソース領域および前記ドレイン領域は前記ゲート電極の対応する側面から離れていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 27/092
, H01L 21/823
FI (10件):
H01L29/78 617A
, H01L29/78 301S
, H01L29/78 301G
, H01L27/08 321N
, H01L27/08 321D
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 616A
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618E
Fターム (100件):
5F048AA00
, 5F048AA09
, 5F048AB10
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB11
, 5F048BC06
, 5F048BD09
, 5F048BE09
, 5F048BF06
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048BF18
, 5F048BG05
, 5F048BG13
, 5F048DA24
, 5F048DA25
, 5F048DA27
, 5F048DA30
, 5F110AA06
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110DD22
, 5F110EE02
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110EE31
, 5F110EE38
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG06
, 5F110GG19
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG44
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ02
, 5F110HJ04
, 5F110HK05
, 5F110HK06
, 5F110HK10
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HK40
, 5F110HK50
, 5F110HL02
, 5F110HM07
, 5F110HM12
, 5F110HM14
, 5F110HM15
, 5F110HM17
, 5F110NN02
, 5F110NN33
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110QQ11
, 5F140AA00
, 5F140AB03
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BC12
, 5F140BD01
, 5F140BD04
, 5F140BD05
, 5F140BD09
, 5F140BD11
, 5F140BD13
, 5F140BD14
, 5F140BF60
, 5F140BG07
, 5F140BG08
, 5F140BG09
, 5F140BG11
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BH14
, 5F140BH18
, 5F140BH49
, 5F140BJ01
, 5F140BJ03
, 5F140BJ08
, 5F140BJ27
, 5F140BJ30
, 5F140CB04
, 5F140CB08
, 5F140CC02
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-074076
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-292598
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
半導体装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-160525
出願人:株式会社東芝, 独立行政法人産業技術総合研究所
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