特許

J-GLOBAL ID：200903061921750000

半導体装置とその製造方法

発明者： 入沢 寿史 ,  沼田 敏典 ,  手塚 勉 ,  杉山 直治 ,  高木 信一
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160525
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339309
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】歪みSiや歪みSiGeを利用して、高Ge濃度チャネルを用いることなく、n,p両方のMISトランジスタにおいて移動度向上をはかる。【解決手段】絶縁膜上の半導体層にnチャネルMISトランジスタとpチャネルMISトランジスタを形成した半導体装置であって、nチャネルMISトランジスタのチャネルが2軸引っ張り歪みを有する歪みSi層22で形成され、pチャネルMISトランジスタのチャネルがチャネル長方向に1軸圧縮歪みを有する歪みSiGe層31で形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜上の半導体層にnチャネルMISトランジスタとpチャネルMISトランジスタを形成した半導体装置であって、 前記nチャネルMISトランジスタのチャネルが2軸引っ張り歪みを有する歪みSi層で形成され、前記pチャネルMISトランジスタのチャネルがチャネル長方向に1軸圧縮歪みを有する歪みSiGe層で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618E ,  H01L27/08 321D

Fターム (40件)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG60 ,  5F110HM02 ,  5F110NN62

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283397   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-283397   出願人：株式会社東芝
• MOS型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375202   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-002919   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-300902   出願人：株式会社ルネサステクノロジ