特許
J-GLOBAL ID：201203056143322633

ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
永田 岳志

永田 岳志 について

, 
森澤 拓

森澤 拓 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033501
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190000
出願日： 2012年02月20日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている(メタ)アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超LSI製造用あるいはEB描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている(メタ)アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有することを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/10 ,  C08G 8/04 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/10 ,  C08G8/04 ,  H01L21/30 502R
Fターム (60件)：
2H125AF17P ,  2H125AF33P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF53P ,  2H125AH12 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AJ02Y ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42Y ,  2H125AJ52X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ65Y ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ69Y ,  2H125AJ84Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM80P ,  2H125AN36P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD38 ,  4J033CA02 ,  4J033CA05 ,  4J033CA22 ,  4J033HA12 ,  4J033HB10 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC09R ,  4J100BC48Q ,  4J100BC49R ,  4J100BC53R ,  4J100BD10P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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