特許

J-GLOBAL ID：201203056528383811

光電変換素子

発明者： 生野 孝 ,  鈴木 涼 ,  加藤 直彦 ,  伊藤 睦 ,  上山 浩司 ,  豊田 竜生
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  アイシン精機株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-154854
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019021
出願日： 2010年07月07日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【課題】硫化物半導体を用いる光電変換素子において、JV特性を向上させる。【解決手段】光電変換素子10は、キャリア輸送層12と硫化物半導体材料で構成される光吸収層14とが接合された構造体16を、第1電極18と第2電極20とで挟み込んだものである。ここで、第1電極18は透明導電性材料からなるものであり、第2電極20はCuからなるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

キャリア輸送層と硫化物半導体材料で構成される光吸収層とが接合された構造体を一対の電極で挟み込んだ光電変換素子であって、 前記一対の電極のうち、キャリア輸送層側の電極は光透過性導電材料からなるものであり、光吸収層側の電極はCuからなるものである、 光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA09 ,  5F151CB13 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高効率光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264853   出願人：旭化成工業株式会社
• ヘテロ接合太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-343846   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所