特許
J-GLOBAL ID：201203058326046441
磁気光学式欠陥検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-168587
公開番号（公開出願番号）：特開2012-026980
出願日： 2010年07月27日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：
【課題】 簡単な構成で、高分解能で被検査物の探傷を行えること【解決手段】 被検査物1に磁界を印加して、その表面の欠陥部2に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接させた磁気光学素子10に透過させた光の磁気光学効果により検出する磁気光学式欠陥検出方法である。磁気光学素子は、複数のピクセルに分離され、基板上にアレイ化され、かつ膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有し個々のピクセル内で一つの磁区を形成している磁気光学膜12を用いる。まず、外部コイル20により垂直方向に磁界を印加して個々のピクセルの磁化方向を揃え、次いで、上記と逆向きの磁界を掃引する。被検査物の表面全体から漏洩磁界が発生するが、ピクセルアレイの位置において、欠陥を有する部分は欠陥がない部分に比べて磁束密度が小さく、外部磁界を掃引した際にそれぞれの位置でピクセルの磁化方向が反転する外部磁界の大きさが異なることを利用して欠陥を検出する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
被検査物に磁界を印加して、その表面の欠陥部に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接させた磁気光学素子に透過させた光の磁気光学効果により検出する磁気光学式欠陥検出方法において、
前記磁気光学素子が複数のピクセルに分離され、基板上にアレイ化されており個々のピクセル内で一つの磁区を形成している磁気光学膜を用いることを特徴とする磁気光学式欠陥検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2G017AA01
, 2G017AD12
, 2G053AA11
, 2G053AB22
, 2G053BA02
, 2G053BA21
, 2G053BC03
, 2G053BC10
, 2G053BC14
, 2G053CA09
, 2G053CA20
