特許
J-GLOBAL ID:201003042893499971
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅井 章弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-243104
公開番号(公開出願番号):特開2010-226084
出願日: 2009年10月22日
公開日(公表日): 2010年10月07日
要約:
【課題】プラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制し且つ、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器14と、被処理体を保持して処理容器内へ挿脱される保持手段22と、ガスを供給するガス供給手段38、40、42と、ガスをプラズマにより活性化する活性化手段60とを有して被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、活性化手段は、処理容器の外側へ突出された状態で処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁72により区画形成されたプラズマ形成ボックス64と、プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極66と、電極に接続された高周波電源68とよりなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/31
, C23C 16/507
, H05H 1/46
, H01L 21/306
FI (4件):
H01L21/31 C
, C23C16/507
, H05H1/46 L
, H01L21/302 101C
Fターム (18件):
4K030BA40
, 4K030FA04
, 4K030KA15
, 5F004BA01
, 5F004BA06
, 5F004BB13
, 5F004BB16
, 5F004BD04
, 5F045AA08
, 5F045AB33
, 5F045AC05
, 5F045AC12
, 5F045DP19
, 5F045DQ05
, 5F045EF03
, 5F045EF08
, 5F045EH04
, 5F045EH11
引用特許:
出願人引用 (4件)
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-084052
出願人:東京エレクトロン株式会社
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成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-177344
出願人:東京エレクトロン株式会社
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成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-224741
出願人:東京エレクトロン株式会社
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国際公開2006/093136号公報
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審査官引用 (4件)