特許
J-GLOBAL ID：201203059681155436
半導体発光素子及びウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-107977
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238787
出願日： 2011年05月13日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：
【課題】広い電流密度範囲で高い発光効率が得られる半導体発光素子及びウェーハを提供する。【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むn形半導体層と、窒化物半導体を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、Inx1Ga1-x1N(0<x1<1)を含む複数の井戸層と、前記複数の井戸層どうしの間に設けられGaNを含む障壁層と、を含む。前記複数の井戸層のうちで前記p形半導体層に最も近いp側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚い。前記p側井戸層のIn組成比は、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層のIn組成比よりも低い。前記障壁層の厚さは、前記p側井戸層の厚さの2倍以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を含むn形半導体層と、
窒化物半導体を含むp形半導体層と、
前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光部であって、
Inx1Ga1-x1N(0<x1<1)を含む複数の井戸層と、
前記複数の井戸層どうしの間に設けられGaNを含む障壁層と、
を含む発光部と、
を備え、
前記複数の井戸層のうちで前記p形半導体層に最も近いp側井戸層は、前記複数の井戸層のうちの前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さよりも厚く、
前記p側井戸層のIn組成比は、前記p側井戸層を除く全ての前記井戸層のIn組成比よりも低く、
前記障壁層の厚さは、前記p側井戸層の厚さの2倍以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 186
, H01S5/343 610
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA65
, 5F141AA03
, 5F141CA05
, 5F141CA65
, 5F173AF06
, 5F173AF13
, 5F173AF15
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AR23
