特許

J-GLOBAL ID：200903009023902330

多重量子井戸構造を有する光半導体装置

発明者： フォルカー ヘルレ ,  ベルトールト ハーン ,  ハンス-ユルゲン ルーガウアー ,  ヘルムート ボライ ,  シュテファン バーダー ,  ドミニク アイザート ,  ウーヴェ シュトラウス ,  ヨハネス フェルクル ,  ウルリッヒ ツェーンダー ,  アルフレート レル ,  アンドレアス ヴァイマール
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-540851
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515936
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】種々の半導体層から成る量子井戸層およびバリア層が交互に積層されている多重量子井戸構造を有する光半導体装置において、窒化物半導体材料をベースとした第1の組成のウェル層(6a)は第1の電子エネルギを有しており、窒化物半導体材料の第2の組成のバリア層(6b)は第1の電子エネルギよりも高い電子エネルギを有している。成長方向から見て後方にビーム活性のウェル層(6c)が配置されており、主として発光しない前方のウェル層(6a)とバリア層(6b)とが超格子を形成している。

請求項（抜粋）：

種々の半導体層から成るウェル層およびバリア層が交互に積層されている多重量子井戸構造を有する光半導体装置において、 窒化物半導体材料をベースとした第1の組成のウェル層(6a)は第1の電子エネルギを有しており、窒化物半導体材料の第2の組成のバリア層(6b)は第1の電子エネルギよりも高い電子エネルギを有しており、 成長方向で見て後方にビーム活性の量子井戸層(6c)が配置されており、主として発光しない前方のウェル層(6a)とバリア層(6b)とが超格子を形成している、ことを特徴とする多重量子井戸構造を有する光半導体装置。

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CA64 ,  5F041CA66

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-039345   出願人：株式会社東芝
• 窒化物化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262169   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021557   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-223322   出願人：三洋電機株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322456   出願人：昭和電工株式会社